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电子元器件详细资料 » IC[27083] » SI7860DP-T1-GE3
型号:SI7860DP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C11A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C8 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
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SI7860DP-T1-GE3相关型号

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